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Photo Transistors
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OE-DSA02A1
고감도, 고속, 고출력, 고신뢰의 포토트렌지스터 광특성 기반으로 고객의 실장에 맞게 투명 및 가시광 차단, 다양한 지향성의 패키지 형태의 제품을 제공합니다.
■ High sensitivity NPN silicon Phototransistor
■ Features
- High output
- Small Size(Φ3mm)
- Visible ray cut off
- RoHS complianace
■ Applications
- Photointerrupters
- Optical detectors
- Optical counters
| Product No | Maximum Ratings | Electro-Optical Characteristics | |||||||||
| Power dissipation PD[mW] | Operating temp. Topr.[°C] | C-E Voltage VCEO[V] | Light current IL[mA] | Dark current ICEO[nA] | Spectral sensitivity λ[nm] | Peak wavelength λP[nm] | Half angle ΔΘ[deg] | ||||
| Min. | VCEO[V] | Ev[lx] | Max | VCEO [V] | Typ | Typ | |||||
| OE-DSA02A1 | 75 | -30~+85 | 6 | 4.5 | 5 | 1000 | 200μA | 10 | 700~1100 | 880 | ±20 |
| OE-DSA02B1 | 75 | -20~+85 | 35 | 2.5 | 10 | 500 | 200 | 10 | 700~1050 | 880 | ±30 |
| OE-DSA02C1 | 100 | -30~+70 | 30 | 10 | 5 | 1000 | 10 | 10 | 700~1050 | 880 | ±6 |
■ Package
