Photo Transistors 상세보기

제품소개

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고감도, 고속, 고출력, 고신뢰의 포토트렌지스터 광특성 기반으로 고객의 실장에 맞게 투명 및 가시광 차단, 다양한 지향성의 패키지 형태의 제품을 제공합니다.

■ NPN silicon Photoransistor

■ Features
- Spectral Sensitivity: 500~1050nm
- TO-18 Metal Can with Glass Lens

Product No	Maximum Ratings			Electro-Optical Characteristics
	Power dissipation PD[mW]	Operating temp. Topr.[°C]	C-E Voltage VCEO[V]	Light current IL[mA]			Dark current ICEO[nA]		Spectral sensitivity λ[nm]	Peak wavelength λP[nm]	Half angle ΔΘ[deg]
	Power dissipation PD[mW]	Operating temp. Topr.[°C]	C-E Voltage VCEO[V]	Min.	VCEO[V]	Ev [lux]	Max	VCEO [V]	Spectral sensitivity λ[nm]	Typ	Typ
OE-CST12A1	120	-30~+100	60	3	5	Po= 2mW/sr	200	10	500~1050	880	±7
OE-CST13A1	150	-30~+100	40	1.5	5	200	200	10	500~1050	880	±15

■ Package