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꿈과 희망을 잃지않게 - 광주복지재단 (광주시민들의 건강하고 행복한 복지를 위해 최선을 다합니다)

Photo Transistors

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OE-DSB02A1

고감도, 고속, 고출력, 고신뢰의 포토트렌지스터 광특성 기반으로 고객의 실장에 맞게 투명 및 가시광 차단, 다양한 지향성의 패키지 형태의  제품을 제공합니다.

■ High sensitivity Silicon Phototransistor

Features
- Lensed for High Sensitivity
- High Reliability and Stable Characteristics
- Visible Light Cut-Off

Applications
- Touch Panel
- VCR, Camcorders
- Optical Detectors


Type No. Maximum Ratings  Electro-Optical Characteristics
Power dissipation PD[mW]Operating temp.
Topr.[°C]
C-E 
Voltage
VCEO[V]  
Light current
IL[mW]
Dark current
ICEO[nA]
Spectral sensitivity
λ[nm] 
Peak wavelength
λP[nm]
Half angle ΔΘ[deg]
Min.VCEO[V] Ev[lx]MaxVCEO [V]TypTyp
OE-DSB02A1     75-30~+8535 51000200μA10700~1100890±20
OE-DSB02B1 100 -30~+70 30 20 1000 100 10 700~1050 880 ±7 


Package

optoeng_castingmold_06.jpg