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Photo Transistors
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OE-CST12A1
고감도, 고속, 고출력, 고신뢰의 포토트렌지스터 광특성 기반으로 고객의 실장에 맞게 투명 및 가시광 차단, 다양한 지향성의 패키지 형태의 제품을 제공합니다.
■ NPN silicon Photoransistor
■ Features
- Spectral Sensitivity: 500~1050nm
- TO-18 Metal Can with Glass Lens
| Product No | Maximum Ratings | Electro-Optical Characteristics | |||||||||
| Power dissipation PD[mW] | Operating temp. Topr.[°C] | C-E Voltage VCEO[V] | Light current IL[mA] | Dark current ICEO[nA] | Spectral sensitivity λ[nm] | Peak wavelength λP[nm] | Half angle ΔΘ[deg] | ||||
| Min. | VCEO[V] | Ev [lux] | Max | VCEO [V] | Typ | Typ | |||||
| OE-CST12A1 | 120 | -30~+100 | 60 | 3 | 5 | Po= 2mW/sr | 200 | 10 | 500~1050 | 880 | ±7 |
| OE-CST13A1 | 150 | -30~+100 | 40 | 1.5 | 5 | 200 | 200 | 10 | 500~1050 | 880 | ±15 |
■ Package
