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Photo Transistors

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OE-CST12A1

고감도, 고속, 고출력, 고신뢰의 포토트렌지스터 광특성 기반으로 고객의 실장에 맞게 투명 및 가시광 차단, 다양한 지향성의 패키지 형태의  제품을 제공합니다.

NPN silicon Photoransistor

Features
- Spectral Sensitivity: 500~1050nm
 
- TO-18 Metal Can with Glass Lens

 

Product No    Maximum RatingsElectro-Optical Characteristics
Power dissipation
PD[mW]
Operating temp.
Topr.[°C]
C-E Voltage VCEO[V]  Light current
IL[mA]
Dark current 
ICEO[nA]
Spectral sensitivity 
λ[nm] 
Peak  wavelength
λP[nm]
Half angle ΔΘ[deg]
Min.VCEO[V] Ev
[lux]
MaxVCEO [V]TypTyp
OE-CST12A1  120-30~+1006035 Po=
2mW/sr
200 10 500~1050880±7
OE-CST13A1150 -30~+100 40 1.5 200 200 10 500~1050 880 ±15 

 

Package
optoeng_Metal-CAN_02.jpg